SG29N11TL - 储能产品的高性能MOSFET

TOLL（Transistor Outline Leadless）封装的MOSFET，由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，已经在户外电源、家庭储能电源、汽车启动电源、光伏储能电源等终端客户得到广泛使用。

SG29N11TL 工作原理

SG29N11TL 采用了我们独有的SGTMOS（Super Grid Trench MOS）技术，结合了超级结和沟槽栅极的优势：

SGT MOS，即屏蔽栅沟槽MOS，是在传统沟槽型MOS的基础上发展而来的一种新型功率半导体器件。其基本原理与普通MOS相似，都是基于场效应晶体管（FET）的基本原理，通过栅极电压控制沟道区域的导电性，从而实现电流的开关和调节。然而，SGT MOS在结构上进行了创新，通过引入屏蔽栅极技术，显著提升了器件的性能和稳定性，增加了单位面积的耐压，降低了Rdson和Crss，使得开关损耗和导通损耗极大程度的减小。

储能应用方案案例

太阳能（光伏面板+MPPT）

关键优势：

低RDS(on)减少导通损耗，提高MPPT效率

优异的Qg特性允许高频操作，减小磁性元件体积

110V耐压为系统设计提供足够裕度

实现效果：

MPPT效率达99.5%

转换效率峰值98.2%

AC输出(逆变+隔离DC-DC)

关键优势：

低RDS(on)和出色的开关特性maximizes system efficiency

优异的Body Diode特性减少反向恢复损耗

卓越的热性能简化散热设计，提高可靠性

实现效果：

DC-DC级效率达98.5%

逆变级效率达98%

双向转换效率峰值96.5%

DC输出(非隔离DC-DC)

关键优势：

极低RDS(on)显著提高系统效率

优秀的开关特性允许高频操作，减小输出滤波需求

并联能力强，thermal performance优异

实现效果：

峰值效率达98.2%

功率密度达到52W/in³

瞬态响应时间<50μs for 50% load step

BMS充放电MOS与防护

关键优势：

低RDS(on)减少系统功耗，延长续航里程

优异的雪崩能力和SOA特性提供可靠的过载保护

快速开关特性允许实现高精度电流控制和保护

实现效果：

系统效率提升3%

保护响应时间<5μs

电池组寿命延长20%

SG29N11TL 封装尺寸图

SG29N11TL MOSFET 特点

这些特点使SG29N11TL在储能、光伏等领域具有广泛的应用前景，能够帮助设计师显著提升系统性能和可靠性。

通过以上应用案例，我们可以清晰地看到SG29N11TL在储能产品系统的各个关键环节都展现出了卓越的性能。

我们致力于为客户的具体应用提供全面的技术支持。如果您在储能产品设计中遇到任何挑战，或者希望进一步优化您的方案，欢迎随时与我们联系。让我们携手推动储能技术的创新与进步！